Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Metall-Oxid-Halbleiter-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur — MIS Struktur (Metall/SiO2/p Si) in einem vertikalen MIS Kondensator Die Metall Isolator Halbleiter Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur — metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal nitride oxide semiconductor structure vok. Metall Nitrid Oxid Halbleiter Struktur, f rus. структура металл нитрид оксид полупроводник, f… … Radioelektronikos terminų žodynas
komplementäre Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
doppeldiffundierte Metall-Nitrid-Oxid-Halbleiter-Struktur — dvikartinės difuzijos metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal nitride oxide semiconductor structure; double diffused MNOS structure vok. doppeldiffundierte Metall… … Radioelektronikos terminų žodynas
Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
MOS-Struktur mit vergrabenem Kanal — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… … Radioelektronikos terminų žodynas
MIS-Struktur — (Metall/SiO2/p Si) in einem vertikalen MIS Kondensator Die Metall Isolator Halbleiter Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B.… … Deutsch Wikipedia
komplementäre MNOS-Struktur — jungtinis metalo nitrido oksido puslaidininkio darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary metal nitride oxide semiconductor; complementary metal nitride oxide semiconductor structure; complementary MNOS structure… … Radioelektronikos terminų žodynas
